三星半导体亮相2026首届算博会，以创新存储方案赋能智能体AI

9月2日至4日，2026开放数据中心大会暨首届算博会（ODX 2026）在京举行，三星半导体亮相大会，集中展示了面向下一代AI基础设施的创新存储解决方案。大会期间，三星电子副总裁兼NAND闪存规划与赋能事业部负责人玄在雄（Jay Hyun）发表题为"突破内存墙：重构面向智能体AI的数据通路"的主旨演讲。

大会期间，三星半导体斩获多项荣誉：专为下一代AI系统扩展而设计的PM1763荣膺"年度突破项目"，上海三星半导体有限公司获评"年度先锋企业"，三星电子副总裁兼中国区Memory事业部首席技术官尹松虎获评"年度领军人物"。大会期间的获奖结果与行业反馈，验证了三星半导体在AI存储架构演进方向上的技术判断与产品布局。

玄在雄在演讲中指出，人工智能正从生成式AI向智能体AI（Agentic AI）演进。智能体AI能够通过规划、执行与反思不断迭代，并协调多个智能体并行完成复杂任务。这一过程会产生海量Token，对计算、内存和存储基础设施提出更高要求。

三星电子副总裁兼NAND闪存规划与赋能事业部负责人玄在雄（Jay Hyun）在ODX 2026发表主旨演讲，分享面向智能体AI的数据通路与存储架构创新

"这一演进正在从根本上改变AI基础设施的形态，而内存与存储将成为推动这一转型的关键。"玄在雄表示。随着智能体AI规模不断扩大，KV Cache也在快速增长。其加载速度会直接影响GPU利用率，而生命周期短、容量需求大的特点，使其需要具备高读取带宽、低延迟、高容量和适当耐久性的专用存储层。三星正在为下一代硬件架构做好准备，以支持并加速这些创新。

面向高性能AI系统，三星以PCIe Gen6企业级SSD PM1763作为性能旗舰。该产品集成三星第九代TLC V-NAND、4纳米控制器和PCIe 6.0 x4接口。其顺序读写速度最高分别达到28,400MB/s和21,000MB/s，随机读写性能最高分别达到680万和95万IOPS；容量覆盖4TB至64TB。

面对大规模工作负载的容量需求，三星推出了高容量QLC SSD BM1773。该产品采用第九代QLC V-NAND和5纳米控制器，容量覆盖16TB至256TB，并在面积效率、性能和可靠性方面实现提升。PM1763与BM1773分别从性能和容量两个维度支持下一代AI基础设施。

三星半导体在ODX 2026展示PM1763、BM1773和zNAND-O，分别面向AI基础设施的高性能、高容量以及容量、带宽与成本效率需求

针对端侧AI模型扩张带来的DRAM成本压力，三星提出了zNAND-O 3D存储解决方案。该技术的比特密度可达DRAM的10倍，读取带宽和读取能效可达传统NAND闪存的7倍，为端侧AI的存储成本优化提供了新思路。

基于3D架构创新，zNAND-O核心芯片层采用SLC，并结合第十代BV-NAND与TSV技术，可与NPU集成封装，通过UCIe标准接口互连，同时支持纵向与横向扩展。在三星提出的新架构中，操作系统、应用、KV Cache和激活数据保留在DRAM中，大容量、读取密集型模型权重则存储于zNAND-O，从而降低对大容量DRAM的依赖。

三星模拟结果显示，与传统UMA DRAM系统相比，zNAND-O架构可在实现相同性能的情况下显著降低内存成本，并可存储接近两倍大小的模型。

过去十年，三星持续发布产品规范和白皮书，以技术成果支持中国数据中心产业发展，并在西安投资建设了约120万平方米的NAND存储产业集群。

三星半导体在ODX 2026荣获多项荣誉

"三星已准备好参与各类有助于推动中国AI发展的技术合作。"玄在雄在演讲最后表示。三星半导体将继续携手客户、合作伙伴与产业社区，推动内存、存储和计算架构协同创新，共同突破智能体AI时代的数据瓶颈，释放下一代AI基础设施的更大潜能。

注：产品性能数据基于三星内部评估，实际性能可能因系统配置和使用环境而异。

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