SK 海力士启动龙仁 Y1 工厂设备下单

       SK 海力士正式启动龙仁新建存储生产基地建设筹备工作。据悉，公司近期已向核心合作厂商下达先进 DRAM 制造设备采购订单，规划初期月产能规模为 2 万片晶圆。

       7 月 14 日，半导体及设备行业消息显示，SK 海力士正在推进龙仁 Y1 晶圆厂的设备采购工作。        提前至明年 2 月搭建试产产线，设备厂商加紧备货应对

       Y1 是 SK 海力士在京畿道龙仁市处仁区元三面打造的大型半导体产业园内首座晶圆厂。一期工厂包含 2 栋主体建筑、6 间洁净室，其中一号洁净室（一期一段）目前正处于施工高峰期。SK 海力士原计划 2027 年 5 月投产 Y1 一期一段产线，现已决定将投产时间提前至 2027 年 2 月。

       为匹配提前投产的计划，SK 海力士已向部分核心合作供应商下发 Y1 一期一段所需设备采购订单。工厂将于 2027 年 2 月搭建试产（单流程）产线，并在次年 3 至 4 月全面开展设备调试，达成月产 2 万片晶圆的产能规模。

       该产线主打量产第六代 10 纳米级（1c）DRAM。1c DRAM 是目前已实现商业化的最新一代存储芯片，主要用于生产 AI 高附加值 DDR、低功耗 LPDDR 产品。SK 海力士计划最快明年量产的第七代高带宽内存 HBM4E，也将采用这款 1c DRAM 作为基底。

       尚未收到设备采购订单的企业也已紧急着手筹备应对。原因是 SK 海力士将设备采购单价谈判签约时间大幅提前，为设备进场铺路。

       某半导体设备业内人士表示：“以往 SK 海力士都在年末敲定设备采购定价合约，今年提前到三季度初启动洽谈，一切都是为了加快 Y1 一期一段设备进场进度。”