武汉光电国家研究中心团队攻克光刻胶关键技术

近日，武汉光电国家研究中心团队在光刻胶研发领域取得重大进展，成功自主研发出合成光刻胶所需的关键原材料及配方，推动我国半导体制造的关键材料实现突破。

据悉，团队研发的T150A光刻胶系列产品已通过半导体工艺的量产验证，达成了原材料完全国产化以及配方的自主设计，为我国半导体制造开创了新局面。

光刻胶作为芯片制造的关键材料，其原理类似于胶卷的曝光过程。芯片制造过程中，晶圆表面会涂上一层光刻胶，并通过掩膜版将电路图投影在其上。经过光线照射曝光和一系列处理后，晶圆上便形成了芯片所需的电路结构。

然而，光刻胶的核心原料和配方技术长期以来被国外企业严格封锁，目前我国所需的光刻胶九成以上依赖进口。

该团队此次研发的T150A光刻胶对标国际先进的KrF光刻胶系列。相较于国外同类产品，T150A在光刻工艺中展现了优异性能，其极限分辨率达120纳米，具有更大的工艺宽容度和更高的稳定性，同时表现出优越的留膜率和刻蚀工艺效果。

验证结果表明，T150A在密集图形刻蚀过程中能保持下层介质侧壁的垂直度，进一步证明了其在半导体光刻工艺中的出色表现。

团队在电子化学品领域深耕二十余载，立足于关键光刻胶底层技术研究，致力于半导体专用高端电子化学品原材料和光刻胶的开发，并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术，同时为材料的分析与验证提供全面的手段。

团队负责人表示：“以光刻技术的分子基础研究和原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始。我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，致力于突破国外卡脖子关键技术，为国内相关产业带来更多惊喜。”