三星半导体在2024 ODCC上分享生成式AI时代大容量高性能的存储解决方案

9月3日，由开放数据中心委员会 (ODCC) 主办的"2024开放数据中心峰会"在北京国际会议中心隆重召开。三星电子副总裁兼闪存应用工程师团队负责人，沈昊俊在会上发表了"跨入未来：人工智能时代的存储创新"的主题演讲。他深入浅出的介绍了推动社会进入生成式AI新时代的三大因素，即计算能力的飞跃，大语言模型（LLM）的精进，以及各种AI服务的兴起，并进一步探讨了生成式AI时代"更优AI"的技术趋势，指出新时代面临的挑战不仅仅是存储器大容量的需求，随着迈向更精密的AI模型，存储器的高性能读写能力也是当下面临的巨大挑战。

三星电子副总裁，闪存应用工程师团队负责人沈昊俊（Thomas Shim）发表主题演讲

演讲中，沈昊俊介绍了为解决这些问题三星半导体提出的存储解决方案和行业主流应用趋势。为克服性能和容量的制约，采用并行搭载HBM和DRAM的方式正在逐渐成为行业趋势。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM则日益突破内存容量限制，满足市场对大容量的需求。

关于目前行业主流应用的大容量存储产品，沈昊俊分别介绍了三星半导体目前单芯片容量最大32Gb的DDR5内存产品，不久将可供应128GB/256GB等大容量封装规格；以及拥有目前三星最高随机写入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。

关于性能突破方面，三星的主要代表产品有通过12层单die24Gb容量堆叠技术实现的36GB容量的HBM3E Shine Bolt，每引脚速度可达三星最快8Gbps，峰值速率高达1TB/s；于此同时三星在存内处理技术上取得显著进展，LPDDR5X-PIM产品能够将系统能效提高70%左右，同时可以将性能提升最多8倍。

最后，三星从总成本优化（TCO）层面说明了CXL存储产品可在任何xPU环境中扩展容量和性能，以及无需兼容性验证即可引入和运行的优势，并进一步强调未来大容量趋势中，基于QLC NAND技术的SSD产品BM1743未来可提供的大容量规格计划。

三星在2024 ODCC上荣获产品奖项

三星在本次2024开放数据中心峰会上获得了"优秀合作伙伴"的称号，与此同时，沈昊俊也强调了在技术挑战面前紧密合作的重要性。三星将一如既往地与合作伙伴和客户携手合作，共同克服内存技术的挑战，将不确定性转化为机遇，携手开创AI时代的未来。

关于三星电子

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