三星电子在硅谷设立新实验室，负责下一代 3D DRAM 内存研发

IT之家 1 月 28 日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的 R&D 研究实验室，专注于下一代 3D DRAM 芯片的开发。

该实验室位于硅谷 Device Solutions America（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的 DRAM 产品，以帮助三星继续引领全球 3D DRAM 市场。

三星去年 9 月推出了业界首款且容量最高的 32 Gb DDR5 DRAM 芯片，采用 12nm 级工艺打造，可生产出 1TB 的内存产品，从而巩固了三星在 DRAM 技术方面的领导地位。

IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是 DRAM 密度单位，与 GB（G Byte）不同。一根内存条有多枚 DRAM 芯片，这些 DRAM 颗粒组合起来就是 Rank（内存区块），大家常见的逻辑容量主要包括 8GB、16GB、32GB 这些，但也有 128GB 的服务器级内存，其中就使用了不等数量的 DRAM 芯片，目前美光官网列出的 DDR5 SDRAM 产品都是 16Gb 和 24Gb 产品，三星官网 DDR5 SDRAM 产品都是 16Gb 产品，SK 海力士也是 16Gb 产品。

基于 2013 年全球首款 3D 垂直结构 NAND（3D V-NAND）商业化的成功经验，三星电子的目标是主导 DRAM 3D 垂直结构的开发。

在去年 10 月举行的“内存技术日”活动上，三星电子宣布计划在下一代 10 纳米或更低的 DRAM 中引入新的 3D 结构，而不是现有的 2D 平面结构。该计划旨在克服 3D 垂直结构缩小芯片面积的限制并提高性能，将一颗芯片的容量增加 100G 以上。

三星电子去年在日本举行的“VLSI 研讨会”上发表了一篇包含 3D DRAM 研究成果的论文，并展示了作为实际半导体实现的 3D DRAM 的详细图像。

分析师预计，3D DRAM 市场将在未来几年快速增长，到 2028 年将达到 1000 亿美元。三星和其他主要内存芯片制造商正在激烈竞争，以引领这一快速增长的市场。