Zetex把MOSFET功率耗散提升60%增强操作效率

    模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex推出全新20V和30V N沟道晶体管，使原有的SOT23封装MOSFET的导通电阻减半，而漏极电流提升了一倍，在25°C环境温度下功率耗散由625mW提升至1W。

    全新ZXMN2A14F及ZXMN3A14F强化模式沟道MOSFET，采用Zetex SOT23封装，结点至环境的热阻较旧有SOT23器件低出37%，由每瓦特200°C锐减至125°C。

    20V N沟道MOSFET可以在60mΩ 导通电阻和4.5V栅驱动下，提供4.1A连续漏极电流。30V器件在65mΩ 导通电阻和10V栅驱动下的连续漏极电流达3.9A。

    Zetex亚太区有限公司董事总经理David Slack表示：“两款新MOSFET适合高效率、低电压的功率管理应用，包括直流-直流转换器、隔离开关及电机控制器。它们把低导通电阻和快速开关的优点合而为一。”