富士通推出数据传输速度高达每秒54 MB的4 Mbit QSPI FRAM

       上海，2016年3月1日–富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布，成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM(铁电随机存取内存)产品MB85RQ4ML，此产品在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度，并开始以样品量供货。由于其兼顾高速传输和FRAM的特性，因此特别适用于网络建置、RAID控制器及工业运算等领域。

       为满足市场对FRAM接口速度提升的迫切需求，富士通目前已成功开发MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在FRAM产品线中拥有最高数据传输速度(图一)。

 

    图一：采用16针脚SOP的MB85RQ4ML

       此产品采用单一1.8V电源供应器QSPI接口，能以108 MHz运作频率达到每秒54 MB的数据传输速度。富士通以往的产品中，采用44针TSOP封装且拥有16-bit并行接口的4Mbit FRAM传输速度最快，为每秒13 MB。而此全新产品的数据读写速度领先前者将近四倍之高，且所用引脚数更少(图三)。

 

    图二：数据传输率比较

       其定位介于数据储存用的高容量非挥发性内存与高速作业内存之间，并以高速存取及数据备份支持数据写入，例如必须持续写入设定数据的网络设备，像路由器等(图三)。

 

    图三：内存于网络装置的使用案例

       仰赖海量数据处理能力的物联网市场，随着数据处理量不断增加，内存亦必须频繁地执行数据改写;此外，从安全观点来看，保留存取记录也将更受到重视。有鉴于此，此产品能透过保留网络领域中存取信息而促进设备效能的改善。因此，富士通充分运用FRAM的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性，为穿戴式市场及物联网市场带来使用FRAM的解决方案，为客户带来更具价值且更加便利的应用。

       产品规格

       组件料号：MB85RQ4ML

       内存密度(组态)：4Mbit(512K字符x 8位)

       界面：SPI/Quad SPI

       运作电压：1.7 – 1.95伏特

       保证读/写周期：10兆次

       数据保留：10年(85度时)

       封装：16针脚SOP