Intel发布0.09微米的芯片工艺 明年将投入量产

    美国时间8月13日，Intel公布了其最新的0.09微米芯片制造工艺细节，并宣布明年将把这种新工艺投入量产。
    据介绍，Intel奔腾4目前采用了0.13微米制造工艺，这里所指的工艺尺寸是指芯片上最细的连线的宽度。随着线宽的缩小，同面积芯片上就可放置更多的晶体管。
    采用Intel的0.09微米制造工艺，晶体管本身的宽度只有0.05微米，这是目前可投入量产的最小尺寸CMOS晶体管。奔腾4采用了宽0.06微米的晶体管，这种晶体管薄薄的栅氧化层只有1.2纳米厚，相当于5个原子层，或5个硅原子的宽度。小个的晶体管和薄栅氧化层设计均对提高处理器的速度有帮助。
    Intel新制造工艺中还采用了应变硅（Strainedsilicon）技术。应变硅技术是将一层硅锗放在硅基片上。硅基片上的原子可以自然地将自己与上层硅锗中的原子对齐，将硅片“拉紧”。这样，两种物质间的电子流动就更加顺畅了。如此一来，不用对晶体管尺寸做任何改变，也可以增加微处理器的速度。
    Intel新制造工艺中芯片内铜连线还采用了新lowk电介质以提高传输速度和降低耗电量。
    据了解，Intel已在俄勒冈州希尔斯波罗市工厂中使用0.09微米工艺产出了52MSRAM芯片。该公司称，这是芯片制造史上的一个小里程碑。
    Intel院士和负责工艺结构与集成的经理MarkBohr说，更小的晶体管和应变硅技术结合在一起后，将使Intel芯片制造工艺遥遥领先于竞争者。在其他公司还在谈论应变硅技术和0.09微米制造工艺的时，Intel已用这种制造工艺开发出了SRAM芯片，而且还将在2003年率先使用这种工艺大批量生产芯片产品。
    目前Intel使用0.09微米工艺生产的芯片全部基于12英寸晶圆，Bohr介绍说，俄勒冈工厂将首先采用0.09微米工艺量产芯片，随后公司新墨西哥州工厂和爱尔兰工厂也将在2003年开始采用这种工艺。Intel下一代PC用微处理器——Prescott将采用新工艺。
    Intel还表示，0.13微米制造工艺采用的加工设备有3/4可重新用于0.09微米工艺产品的生产，这可节省向新制造工艺过渡所需的时间和资金。