此前的世界最高速度纪录为美国AMD公司开发的晶体管,该晶体管的栅极延迟时间只有0.29ps。此次,日立制作所通过缩小栅极长度和控制短通道效应,成功地将栅极延迟时间缩 小到了0.28ps。
此次开发最重要的是导入了使用高介电率(high-k)材料的“偏移隔离层(Offset Spacer)”技术。另外,通过在栅极绝缘膜中采用基于自主开发的成膜法来控制Si底板与栅极绝缘膜界面的SiN膜,与原有产品相比,栅极漏电电流降低了1/10。