三星研制出世界首款DDR-II内存

    计算机世界网消息本周二，韩国三星半导体公司(Samsung Semiconductor Inc.)宣称，它们开发出业界第一款高密度512M的DDR-II SDRAM，公司希望DDR-II能成为未来支持高速系统中DRAM工艺中的主流。

    三星称，该款芯片的工作电压为1.8伏、传递数据速率为533M bps，如果在网络或特殊的环境下，其传递数据的速率可以达到667M bps。

    三星半导体该款512M DDR-II SDRAM符合今年三月份召开的科技电子组件评议会(JEDEC)对DDR-II所制订的各种参数要求。

    据三星半导体称，采用60 ball BGA方式封装的三星DDR-II内存产品将在2003年的第三季度面市。