e-works数字化企业网  »  新闻  »  硬件动态  »  正文

Spansion采用110纳米浮门技术提升闪存产量

2004/5/6    来源:Spansion    分享

    2004年4月29日,Spansion公司宣布,在其位于美国奥斯丁的Fab 25 “百万级工厂 (MegaFab)”批量生产的110纳米浮门技术产品在该工厂的总产量中已经超过50%。Spansion公司预计,到今年年中时,该工厂生产的几乎所有产品都将采用110纳米技术。

    “Fab 25工厂近乎完美的110纳米浮门生产线已经产生了远远超出预期的产量,并且接近了成熟技术在全力生产时的产量”,Fab 25工厂的副总裁Randy Blair表示,“由于产量出众且投入生产的速度远快于预期,我们将能加速实现Spansion闪存生产能力翻倍。”

    今年三月,Spansion公司宣布开始批量生产110纳米的浮门产品。这是一个非常重要的事件,因为它标志着整个行业在商用NOR闪存生产方面首次突破130纳米瓶颈。

    “Fab 25的成功故事还将继续下去”,Spansion公司负责全球技术开发和制造的执行副总裁Jim Doran表示,“去年,我们以出色地实现130纳米技术投产打破了记录,而今年我们又通过迅速地批量生产110纳米技术产品,很快地再次刷新了记录。Fab 25是闪存制造领域真正意义上的一个出色生产中心。它将继续为我们的客户的业务发展提供有力的支持。”

    Spansion的第二个百万级工厂(位于日本Aizu-Wakamatsu的 JV3工厂)预计将于2004年下半年开始采用110纳米技术。

责任编辑:阳光玛丽
编辑推荐
文章推荐
博客推荐
视频推荐