功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 在其DirectFET MOSFET系列中新增三款20V N沟道器件。该器件经过全面优化，适用于VRM 10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、大电流直流-直流转换器，应用范围包括高端台式计算机和服务器，及先进的电信和数据系统。
IRF6623具备增强的控制MOSFET性能，器件导通电阻 (RDS(on)) 及栅电荷 (Qg) 的乘积減少30%。体积仅为市场上同类高性能20V控制MOSFET一半。此外，在4.5V下RDS(on) 和Qg的乘积仅为48.4mOhm-nC，米勒电荷 (Qgd) 为4.0nC，有助减低开关损耗。
IRF6620最适合35A或以下的同步MOSFET应用，Qg, Qgd 和反向恢复电荷 (QRR) 值极低，RDS(on) 更比市场上其他高性能20V同步MOSFET改善了30%，在10V下的典型RDS(on) 为2.1mOhm (最大为2.7mOhm)。
IRF6609专为大电流 (33A或以上) 的同步MOSFET应用而設計，能缔造最佳性能。器件的Qg和Qgd非常低，并具备超低QRR，在10V下的典型RDS(on)为1.6mOhm (最大为2.0mOhm)。
IR中国及香港销售总监严国富表示：“DirectFET MOSFET系列现包括20V和30V产品，晶片尺寸范围更广，从而为设计人员提供了更多元化的选择及电路优化。DirectFET封装的‘金属帽’结构是性能提高的关键。它能减低无晶片式封装的电阻，实现双面冷却。与标准的离散塑料封装相比，新封装有很多以前不具备的优点。”
