英国研究人员开发出一种新技术，可使双极晶体管的运行速度提高一倍。
英国南安普敦大学近日发布的消息说，该校研究人员应用硅双极灌氟技术，使双极晶体管的运行速度达到110吉赫兹，这一速度比现有纪录高出一倍。
据负责该项研究的彼得·阿什伯恩介绍，这种技术通过阻止晶体管底部的硼扩散，使晶体管底部宽度变窄，从而让电子能以更快的速度穿越晶体管底部。
研究人员称，利用这一技术还可将晶体管底部的硼扩散再降低50%，他们正在就此进行研究。
双极晶体管是固体半导体器件，通常应用于移动电话和各种无线通信设备中。
