据报道，英特尔将于美国当地时间9月20日周二对外公布一项晶体管新技术，即与该公司当前标准工艺相比，采用新型超低电流65纳米工艺的晶体管电流泄漏已降低1000倍左右。
英特尔最近已将晶体管长度由原先的90纳米(1纳米长度为1米的十亿分之一)缩短为65纳米，从而可使单一芯片上的晶体管数量再增加一倍。晶体管数量的增加，将使电流漏洞变得更难控制，并导致发热量增加。英特尔称，由于在设计上作了改进，使三个主要泄漏源(亚阀、接口及门氧化泄漏)的控制得到了重大改进。
英特尔架构和整合部门高级研发人员及主管马克-波尔(Mark Bohr)说：“对基于英特尔超低电流65纳米工艺的芯片进行检测后发现，与以前的标准工艺相比，新工艺晶体管电流泄漏已降低了1000倍左右。如此一来，新产品的节能性将大为提高。”市场调查公司In-Stat首席分析师吉姆-麦格雷格(Jim McGregor)说：“如果英特尔能将新产品应用手机上面，无疑将面临巨大商机。”
