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美光发布第六次年度可持续发展报告

2021年5月12日              
关键字:可持续发展报告 美光科技  

中国上海,2021 年 5 月 12 日 — 内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日发布《快步前行:美光 2021 年可持续发展报告》(Fast Forward: Micron’s 2021 Sustainability Report),凸显美光在特殊时期不但体现出企业韧性,更在促进创新、人、社区和制造等方面取得长足进展。

新冠疫情期间,美光继续推进各项可持续发展项目,其中包含部分前期投资,以达到 2028 年前投资约 10 亿美元 (折合约 65 亿元人民币) 用于环境保护的目标。这些环保项目包括:公司至 2030 年于全球范围内将温室气体 (GHG) 的排放量在 2018 年的基础上减少 75%,并实现75% 的废水再利用和95%的废弃物转移。美光还计划于2025 年底前在美国的所有制造工厂 100% 采用可再生能源。美光将2020年用以生产单块芯片的温室气体排放量在 2018 年的基础上减少了 36%,并将物料和废弃物的再利用和回收比率提升至 84%,较上一年提高了 3个百分点。

美光在多元、平等和包容举措方面也取得积极进展。公司已在全球范围实现弱势群体全面薪酬平等,涵盖基本工资、奖金和股票奖励等。为支持弱势社区的发展,美光投入超过 2.5 亿美元的现金和现金等价物,由弱势群体拥有的金融公司进行管理。此外,美光还增加了董事会中的女性成员席位。截至 2021 年 2 月,美光董事会的女性成员比例达到 50%。美光员工资源团体 (Employee Resource Group,ERG) 成员人数在2020年增长了 84%。这些ERG 组织是由美光员工主导的志愿者团体,关注有相同身份认知或经验的员工及其盟友,极大促进了美光内部及其员工所在社区实现包容发展。

美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示:“可持续发展是美光业务模式的基石,为此我们承诺将投入 10 亿美元 (约65 亿元人民币),并采用科学方法密切关注进展情况。我们在2020年向可持续发展目标迈近了一大步。美光克服了疫情带来的不确定性,在节能指标上取得了三倍的年增长,更加接近温室气体减排目标,并且实现了全面薪酬平等,这是我们实现全员包容目标的关键一步。”

 

美光在积极改善社区方面实现了新里程碑。美光基金会 (Micron Foundation) 在2020 自然年向多个慈善组织捐助近 2,400 万美元,其中包含一项 1,000 万美元的新冠肺炎抗疫基金。美光团队成员的配捐金额也增长了四倍,通过全球科学、技术、工程和数学 (STEM) 支持项目,全年受益的学生和教育工作者超过 65 万人。

加速可持续发展,增强技术领导力 

美光有史以来首次实现在 DRAM 和 NAND 两大技术领域同时占据领先地位。美光 1α DRAM 技术将内存密度提升 40%,可为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台,实现了 15% 的节能 1。美光 176 层 3D NAND 闪存将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上,并将数据传输速率提升 33% 2。两项技术合璧,为构建更新颖、更高效的设备体验和创新基础架构奠定了数据基础,适用于数据中心和智能边缘等各类应用场景。

此外,美光最近还推出了车用 LPDDR5 内存,能效提升 20% 以上3。该款低能耗 DRAM 助力实现智能汽车的高性能计算,同时大幅降低能耗,从而减少交通运输行业的温室气体排放。美光还于去年 9 月推出突破性的 GDDR6X 显存,实现了比前代产品更低的单任务功耗 (pJ/bit),因此更适合高能耗、高带宽需求的应用。GDDR6X 还能灵活调节功耗,用户可调低性能以节省能耗。

深受业界认可

美光的可持续发展深受业界认可,其中包括被列入道琼斯可持续发展北美指数 (North America Dow Jones Sustainability Index);所有生产设施获得责任商业联盟 (Responsible Business Alliance) 白金级认证;并于2018-2020连续三年获得大中华区最佳职场 (Great Place to Work) 奖项 。根据  2021 年 3 月Sustainalytics 环境、社会和治理的评分,美光名列半导体行业前 10%。美光还被列入 2019-2020 年“富时社会责任指数系列 (FTSE4Good Index Series)” (FTSE Russell,富时罗素)。

美光第六次年度可持续发展报告依据全球报告倡议组织 (GRI) 核心标准和可持续发展会计准则委员会(SASB) 半导体行业标准编写。

 

参考资料:

1: 与美光上一代 1z 制程移动设备 DRAM 相比。

2: 与美光96层大容量浮动栅极NAND相比。如果与 128 层替换栅极 NAND 相比,美光 176 层 NAND 的读写延迟优化幅度均超过 25%。

3: 与上一代 LPDDR4x 对比数据。

 

关于 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)

 

美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商,致力于通过改变世界使用信息的方式来丰富全人类生活。凭借对客户、领先技术、卓越制造和运营的不懈关注,美光通过 Micron和 Crucial品牌提供 DRAM、NAND 和 NOR 等多个种类的高性能内存以及存储产品组合。我们通过持续不断的创新,赋能数据经济发展,推动人工智能和 5G 应用的进步,从而为数据中心、智能边缘、客户端和移动应用提升用户体验带来更大机遇。

 

© 2021 Micron Technology, Inc. 保留所有权利。信息、产品和/或规格如有变更,恕不另行通知。Micron、Micron 徽标和所有其他 Micron 商标均为 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)所属商标。所有其他商标分别为其各自所有者所有。 


 
责任编辑:陈苗
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