台积电加速迈向2nm工艺，消息称高雄工厂正规划量产N2P

       台积电正加速迈向2nm。根据MoneyDJ报道，位于新竹宝山的台积电工厂预计于2024年第2季度开始安装设备，预计2025年第4季度量产，初期月产量约3万片晶圆。

　　台积电的高雄工厂目前也正在积极“备战”，预估将会在N2工艺登场1年后，采用背面供电技术，量产N2P（2nm加强版）工艺。

　　据此前报道，台积电此前透露信息，在N2工艺上扩展背面电源轨（backside power rail）解决方案，减少红外衰减和改善信号，性能可以提高10%至12%，并让逻辑面积减少10%至15%。

　　台积电计划2025年下半年向客户交付背面电源轨样品，并与2026年量产。

　　三星此前公布的半导体规划，2025年大规模量产2nm，2027年量产1.4nm；而英特尔方面，预估2024年上半年量产l采用Gate All Around（GAA）技术RibbonFET电晶体架构的20A，2025年量产18A。