铠侠参展CFMS 2025：布局下一代先进存储，持续助力高能AI

       3月12日，全球领先的存储解决方案提供商铠侠参展中国闪存市场峰会CFMS 2025/MemoryS 2025，在现场针对人工智能AI应用提出了全新的存储解决方案，并预告了全新一代的QLC企业级与数据中心级SSD，以及下一代BiCS FLASH™，为云端计算、大模型加速，提供了高效、可靠的先进存储解决方案。
 
用QLC SSD满足AI应用

       以DeepSeek为主的人工智能应用正在推动企业服务器和数据中心积极升级，在关注AI加速运算成本的同时，存储密度和效能也已经成为关注的对象。特别是随着AI应用增多，冷数据正在转向温数据，HDD已经无法同时满足高速读写和每年以EB级增长的数据需求，SSD发展成为了必然。

       在企业级SSD解决方案中，QLC技术被认为是能够帮助服务器和数据中心提升单位空间存储密度的解决方案之一，第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。

       铠侠采用QLC技术的企业级SSD蓄势待发，配合QLC技术，新一代铠侠LC9系列可拥有高达122.88 TB容量，支持PCIe® 5.0、NVMeTM 2.0，采用双端口设计，适用于密集型读取、大模型加载、AI等应用场景。
 
       另外针对数据中心和超大规模计算环境，具备前瞻性EDSFF（Enterprise and Data Center Standard Form Factor）规范铠侠XD8系列也已经发布，E1.S的规格可以帮助数据中心在新的规范下提升存储密度，可以充分满足数据中心对AI高性能、高效率和高可扩展性的增长需求。
 
下一代BiCS FLASH™蓄势待发

       在积极推进SSD解决方案的同时，铠侠也放眼于未来的BiCS FLASH™规划，基于CBA技术的下一代BiCS FLASH™已经蓄势待发，可以很好的兼顾每GB的产能、成本和性能，进一步优化存储效率，帮助客户获得更优秀的存储解决方案。

       下一代BiCS FLASH™将会获得更快的4.8Gb/s速度相对第八代BiCS FLASH™提升33%，拥有332堆叠，位密度将大于29Gb/mm2，相对第八代BiCS FLASH™提升59%，并且数据输出能效提升34%，为PCIe® 6.0和PCIe® 7.0做好准备。
 
       与此同时，量产的BiCS FLASH™技术也已经与产品实现了优秀的融合，在QLC UFS 4.0，车规级UFS 4.0以及移动端上展开应用，为客户提供了丰富的存储解决方案。
 
       在现场，“人工智能应用需求的增长，给数据中心技术建设带来了全新的挑战，凭借先进的NAND闪存技术和丰富的企业级产品经验，铠侠提供的SSD产品可以提高数据中心的能效、存储密度、性能和可靠性。同时铠侠也将与中国客户建立深度合作关系，为AI提供更为高效的存储方案。”铠侠技术执行官柳茂知（Shigenori Yanagi）说道。
 
       铠侠电子（中国）有限公司董事长兼总裁岡本成之对今年存储行情充满了信心：“DeepSeek成为全球范围内的热点话题，给2025年发展提供了无限想象空间，相信整个行业在今年会随着AI东风阔步向前。”
 
       在CFMS 2025现场分享的内容仅仅是铠侠技术规划的一部分。铠侠会持续推动先进存储技术研发，将技术与热门应用结合，并与中国客户加深合作，共同推进存储行业的快速发展，为客户提供高效、稳定、可靠的存储解决方案。
 
关于铠侠

       铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘（SSD）。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，在2017年4月铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户创造选择并为社会创造基于记忆的价值，以“记忆”提升世界。铠侠的创新3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车、数据中心和生成式AI系统。