美国英特尔公司日前公布了面向便携式终端的新一代存储器的开发状况。其中包括该公司同美国Ovonyx Inc.正在共同开发的“OUM（Ovonic Unified Memory）”和该公司同挪威的Thin Film Electronics ASA公司共同开发的“Polymeric Ferroelectric RAM（PFRAM）”。
英特尔认为基于面向便携式设备批量生产的闪存将面临技术上的极限，所以正从两种新的存储技术着手推进新产品的开发。面对低价格、低耗电量、非挥发性、易于同逻辑LSI混装的要求，英特尔认为同MRAM、FeRAM等其它候补产品相比OUM和PFRAM更有前途。
OUM是将硫族化物加热，在低电阻的结晶状态下和高电阻的低温多结晶状态下读取电阻值的变化。其擦写的时间在100ns以下，可擦写次数为10的12次方，其性能足以用于保存便携式终端的程序代码及数据。英特尔最近试制了这种采用0.18μm微加工工艺技术的4MB测试芯片，确认了单个存储单元的工作状况。
PFRAM通过改变具有强介电的聚四氟乙烯系列树脂的极化来控制“1”和“0”。因此不需要每位都设有晶体管就可以实现将高分子层的8层重叠。由于其提高了单位面积的位数，实现低成本、大容量，因此适用于便携式终端的数据保存。关于这两种存储技术，英特尔并没有宣布具体的产品计划。
