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长江存储推出第四代闪存颗粒

2022年8月4日              
关键字:长江存储  
      8月3日,长江存储科技有限责任公司(长江存储)在2022年闪存峰会(FMS)上正式发布了基于晶栈(Xtacking)3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。长江存储称,相较上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度,更快的读写速度,性能提升的同时功耗更低。

  长江存储并未披露其三维闪存X3-9070颗粒“层数”,仅表示其为长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品,能够在更小的单颗芯片中实现1Tb存储容量。所谓“层数”,体现的是存储芯片的粗略技术节点,想要大幅提高存储密度,增加层数就是关键。目前NAND闪存从最初的24层一路上升,发展到现在的200多层。

  而长江存储提及的晶栈则是闪存的一种创新架构,可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的逻辑工艺,从而让NAND能获取更高的数据读写速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后,Xtacking只需一个处理步骤即可通过数百万根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,合二为一。

  长江存储执行副总裁陈轶表示:“X3-9070闪存颗粒拥有出色的性能表现和极高的存储密度,能够快速高效地应用于主流商用场景之中。”

  长江存储称,新一代X3系列闪存产品将为大数据、5G、智能物联及其他领域的多样化应用带来机遇。

  NAND Flash芯片技术上,只要堆叠的层数越多,容量就会越高。NAND闪存堆对层数达到200以上是产业的创举,包括美光、三星、SK海力士、铠侠等闪存大厂都进入200以上层数竞争。

  7月26日,美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片,也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业,美光介绍称该闪存芯片由232层存储单元组成,数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%,且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域,满足其低延迟和高吞吐量的需求。美光表示将于2022年底开始量产232层NAND。

  SK海力士公司也宣布,已开发出超200层的NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成,比美光最新公布的闪存芯片还要多6层。据SK海力士称,238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片,数据传输速度和功率比上一代提高了50%,读取数据消耗的能量也减少了21%。这款最新芯片将在2023年上半年开始量产。
责任编辑:王阳
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