美光发布基于1γ制程的第六代DDR5内存样品，以创新技术拓展高性能与高能效计算新边界

 美光宣布，已向生态系统合作伙伴及特定客户出货基于1γ（1-gamma）第六代10纳米级DRAM节点的DDR5内存样品。这一新一代内存专为下一代中央处理平台设计，标志着美光在内存技术研发领域迈入全新阶段。凭借此前在1α与1β节点的技术积累，美光的1γ DRAM节点进一步拓展了高性能与高能效的边界，为从云端计算到端侧AI设备的多样化应用奠定了坚实基础。  

美光的1γ DRAM节点率先应用于16Gb DDR5产品，并计划逐步整合至其内存产品组合中，以满足AI产业对高性能与低功耗解决方案的持续需求。该技术在性能、能效及容量密度等方面均实现了显著提升，为未来计算平台提供了更具竞争力的内存支持。  

在AI技术日益普及的时代，数据中心、AI PC、智能手机及汽车等终端设备的计算需求不断提升，对内存性能提出了更高要求。美光的1γ DRAM节点正是为应对这一趋势而生。基于新节点的DDR5内存产品拥有更快的传输速率与更优的功耗表现，使数据中心与终端设备能够在更低能耗下实现更高运算效率，满足AI模型运行和多任务处理的复杂需求。  

美光通过采用下一代高K金属栅极CMOS技术，在性能与能效间取得平衡。该技术提升了晶体管的性能，实现了更高的速率、更紧凑的结构与更稳定的运行表现。与此同时，功耗较上一代产品降低超过20%，不仅减少了能量消耗，也改善了系统散热，为设备稳定运行提供了更佳的环境。这种兼具高效与节能的特性，使1γ DRAM节点成为推动新一代AI计算的重要驱动力。  

此外，美光在1γ DRAM节点中应用了EUV光刻技术，通过极短波长的精密刻蚀，在晶圆上实现更细微的结构，从而显著提升了容量密度。与上一代产品相比，单片晶圆的容量密度产出提升超过30%，有效增强了制造效率与供应能力。更高的容量密度意味着更多的数据可被存储于相同面积的芯片中，为AI工作负载、云端数据处理及边缘计算带来更强支撑。  

在产品应用层面，美光1γ节点的优势将贯穿从云端到端侧的多个领域。针对数据中心，基于1γ的DDR5内存可在性能与能效上取得双重提升，为服务器架构的功耗与散热优化提供有力支撑。对于AI PC产品，1γ DDR5 SODIMMs能够显著提升系统性能，并在降低功耗的同时延长续航时间，优化用户体验。针对移动设备，1γ LPDDR5X的高带宽与低功耗特性，使AI处理更加高效灵活，为移动端AI体验带来进一步提升。而在汽车应用领域，基于1γ的LPDDR5X内存则兼具容量、耐用性与高性能特征，其传输速率的提升有助于支持车载系统的实时数据处理与智能交互。  

美光在多代DRAM技术的积累基础上，不断优化设计与制程策略，使1γ节点成为其技术路线中的重要成果。该节点的开发不仅展示了美光在CMOS与EUV领域的创新实力，也体现了其在全球制造体系中的技术韧性。通过持续的技术演进，美光为客户提供更加灵活、高效且具扩展性的内存解决方案，为AI计算生态注入持久动力。  

美光始终专注于高性能内存技术的研发与优化，持续推动内存架构的精进。1γ DRAM节点的推出，意味着美光在性能、能效与制造能力上的又一次突破。这一技术进展不仅体现了其对行业需求的敏锐洞察，也为云端与端侧的智能化发展提供了坚实支撑。随着1γ节点逐步整合至美光的多元产品体系，未来的计算平台将在速度、能效与稳定性方面迎来更全面的提升，为智能时代的多场景应用提供强有力的芯片支持。